三、磁路定律

    磁路定律实际上是将磁场的高斯定理和安培环路定理具体应用于磁路并写成与电路规律相似的形式,套用电路的概念而得名的。下面大家从磁路与电路的类比中得出磁路定律。

    图13-25是单回路的磁路(a)与单回路的电路(b)的比较。对于电路, 电源的电动势等于各段导体上的电势降落之和,即

图 13-25

,     (13-62)         

式中Risi、liSi 分别是第i段导体的电阻、电导率、长度和截面积。再看一下磁路的情形,安培环路定理可以写为

           ,

式中L是沿磁路选取的积分环路,NI0分别是线圈匝数和线圈中的传导电流,Hi、Bimi、liSi分别是第i段磁路的磁场强度、磁感应强度、磁导率、长度和截面积。根据磁场的高斯定理,无漏磁的闭合磁路中,各截面的磁通量必定相等,所以上式可以写为

                       .                 (13-63)

比较式(13-63)和式(13-62),大家看到磁路与电路是十分相似的,于是就可以借用电路的名称和符号来表示磁路:NI0称为磁通势,用em表示;li /mi Si 称为磁阻,用Rm表示;FRmi 称为磁势降落。于是可将式(13-63)写成下面的形式

                       .                       (13-64)

上式表示,闭合磁路的磁通势等于各段磁路上磁势降落之和。这就是磁路定律。

       
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